データシートPDFのbc308トランジスタ

BC308
メーカー : FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
説明 : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BC308
メーカー : KEC[KEC(Korea Electronics)]
説明 : EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, NOISE AMPLIFIER)

BC308
メーカー : MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]
説明 : SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC308
メーカー : Fairchild Semiconductor
説明 : PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BC308
メーカー : KEC(Korea Electronics)
説明 : EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)

BC308
メーカー : Micro Electronics
説明 : PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC308
メーカー : SEMTECH ELECTRONICS LTD.
説明 : PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

BC308
メーカー : KEC(Korea Electronics)
説明 : Epitaxial Planar PNP Transistor(General Purpose??ow Noise Amplifier Application)(??????PNP???????????????????????

BC308
メーカー : Fairchild Semiconductor
説明 : PNP Epitaxial Silicon Transistor(PNP?????????)

BC308
メーカー : Micro Electronics
説明 : PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC308
メーカー : KEC(Korea Electronics)
説明 : EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)

BC308
メーカー : Fairchild Semiconductor
説明 : PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BC308
メーカー : Micro-Electronics
説明 : 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor

BC308
メーカー : Fairchild
説明 : PNP Epitaxial Silicon Transistor

BC308
メーカー : Usha
説明 : Transistor. Switching and amplifier applications. Collector-base voltage Vcbo = -30V. Collector-emitter voltage Vceo = -25V. Emitter-base voltage Vebo = -5V. Collector dissipation Pc(max) = 500mW. Collector current Ic = -100mA.